R6020PNJFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.19 Ом, TO-263S, Surface Mount
![Фото 1/2 R6020PNJFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.19 Ом, TO-263S, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/994/DOC010994999.jpg)
2000 шт., срок 7-9 недель
1 820 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 700 руб.
от 10 шт. —
1 530 руб.
2 шт.
на сумму 3 640 руб.
Плати частями
от 910 руб. × 4 платежа
от 910 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
AEC-Q101 Automotive MOSFETsROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V DSS to 100V DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.19Ом |
Power Dissipation | 304Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 304Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.19Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 70 ns |
Forward Transconductance - Min: | 7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | R6020PNJFRA |
Pd - Power Dissipation: | 304 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 65 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
Rise Time: | 60 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 230 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.