R6030KNX, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 30 А, 0.115 Ом, TO-220FM, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт., срок 7-9 недель
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
690 руб.
4 шт.
на сумму 3 240 руб.
Плати частями
от 810 руб. × 4 платежа
от 810 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
N-канал 600V 30A (Tc) 86W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Технические параметры
| Base Product Number | R6030 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Part # Aliases: | R6030KNXC7G |
| Pd - Power Dissipation: | 86 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 115 mOhms |
| Rise Time: | 65 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1638 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
