R6070JNZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 70 А, 0.045 Ом, TO-247G, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
4 170 руб.
от 5 шт. —
3 830 руб.
от 10 шт. —
3 550 руб.
1 шт.
на сумму 4 170 руб.
Плати частями
от 1 044 руб. × 4 платежа
от 1 044 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM PrestoMOS series power MOSFET with fast reverse recovery time, suitable for the switching applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.058 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 7V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247G |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6070JNZ4C13
pdf, 2195 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
