R6076KNZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 76 А, 0.038 Ом, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

23 шт., срок 7-9 недель

4 120 руб.

от 5 шт. — 3 780 руб.

от 10 шт. — 3 510 руб.

1 шт. на сумму 4 120 руб.

Плати частями
от 1 030 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8003713341

Артикул: R6076KNZ4C13

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications. Low on-resistance Fast switching speed Parallel use is easy

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.038Ом
Power Dissipation	735Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	76А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Рассеиваемая Мощность	735Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.038Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	76 A
Maximum Drain Source Resistance	42 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	150 °C
Maximum Power Dissipation	735 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	R6076KNZ4
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	165 nC @ 10 V
Width	5.22mm
Вес, г	5.67