R6504END3TL1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4 А, 0.955 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
96 шт., срок 7-9 недель
420 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
380 руб.
6 шт.
на сумму 2 520 руб.
Плати частями
от 630 руб. × 4 платежа
от 630 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.05 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6504END3TL1
pdf, 2233 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
