R6507END3TL1, MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 шт., срок 7-9 недель
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
410 руб.
6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Плати частями
от 720 руб. × 4 платежа
от 720 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.605Ом |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.665 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6507END3TL1
pdf, 2224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
