R6507KNXC7G, MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-220FM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт., срок 7-9 недель
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
500 руб.
5 шт.
на сумму 2 800 руб.
Плати частями
от 700 руб. × 4 платежа
от 700 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.605Ом |
| Power Dissipation | 46Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | R6xxxKNx |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 5.67 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
