R6515KNJTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 15 А, 0.28 Ом, TO-263S, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

100 шт., срок 7-9 недель

870 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 740 руб.

от 100 шт. — 584 руб.

3 шт. на сумму 2 610 руб.

Плати частями
от 654 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002411110

Артикул: R6515KNJTL

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

R6515KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.28Ом
Power Dissipation	184Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	15А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Рассеиваемая Мощность	184Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.28Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263S
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Forward Diode Voltage	1.5V
Maximum Continuous Drain Current	15 A
Maximum Drain Source Resistance	310 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	184 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-263S
Pin Count	3
Series	R6515KNJ
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	27.5 nC @ 10 V
Width	9.2mm
Вес, г	0.01