R6520KNX3C16, MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
986 шт., срок 7-9 недель
1 120 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
950 руб.
от 100 шт. —
751 руб.
3 шт.
на сумму 3 360 руб.
Плати частями
от 840 руб. × 4 платежа
от 840 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 20 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.185Ом |
| Power Dissipation | 220Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet R6520KNX3C16
pdf, 2286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
