R6530ENZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 30 А, 0.125 Ом, TO-247G, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7-9 недель
1 720 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 630 руб.
от 10 шт. —
1 510 руб.
2 шт.
на сумму 3 440 руб.
Плати частями
от 860 руб. × 4 платежа
от 860 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
| Power Dissipation | 305Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | R6xxxENx |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 305Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.125Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247G |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 5.67 |
Техническая документация
Datasheet R6530ENZ4C13
pdf, 1479 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
