R6530KNX3C16, MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 7-9 недель
1 500 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 310 руб.
2 шт.
на сумму 3 000 руб.
Плати частями
от 750 руб. × 4 платежа
от 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
Power Dissipation | 307Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet R6530KNX3C16
pdf, 2406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.