R6547KNZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 47 А, 0.07 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
2 900 руб.
от 5 шт. —
2 520 руб.
от 10 шт. —
2 190 руб.
1 шт.
на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
от 725 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Power Dissipation | 480Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 47А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 480Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | R6547KNZ4 |
| Pd - Power Dissipation: | 480 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Rise Time: | 120 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 5.67 |
Техническая документация
Datasheet R6547KNZ4C13
pdf, 1442 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
