R8002KND3TL1, MOSFET, N-CH, 800V, 1.6A, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт., срок 7-9 недель
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
330 руб.
7 шт.
на сумму 2 590 руб.
Плати частями
от 649 руб. × 4 платежа
от 649 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3.5Ом |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | R8xxxKNx |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
