R8008ANJFRGTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 8 А, 0.79 Ом, TO-263S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
1 490 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 310 руб.
от 100 шт. —
1 010 руб.
2 шт.
на сумму 2 980 руб.
Плати частями
от 745 руб. × 4 платежа
от 745 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK);LPTS
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.79Ом |
| Power Dissipation | 195Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 195Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.79Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 195 W |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.03 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1600 КБ
Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1649 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
