R8009KNXC7G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 9 А, 0.5 Ом, TO-220FM, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
874 шт., срок 7-9 недель
980 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
830 руб.
от 100 шт. —
660 руб.
3 шт.
на сумму 2 940 руб.
Плати частями
от 735 руб. × 4 платежа
от 735 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM power MOSFET has TO-220FM package type. It is mainly used for switching. Low on-resistance Fast switching
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
| Power Dissipation | 59Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 59Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet R8009KNXC7G
pdf, 1619 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
