RD3P130SPFRATL, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 13 А, 0.135 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![Фото 1/2 RD3P130SPFRATL, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 13 А, 0.135 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/971/DOC022971506.jpg)
4964 шт., срок 7-9 недель
470 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
324 руб.
6 шт.
на сумму 2 820 руб.
Плати частями
от 705 руб. × 4 платежа
от 705 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Rohm power MOSFET featured with low on resistance and fast switching speed. It has easy parallel use and low on resistance.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.135Ом |
Power Dissipation | 20Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 13А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.135Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.