RD3U060CNTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 7-9 недель
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
259 руб.
7 шт.
на сумму 2 730 руб.
Плати частями
от 684 руб. × 4 платежа
от 684 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 2.2 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Part # Aliases: | RD3U060CN |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 530 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
