RF4E070BNTR1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, DFN2020, Surface Mount
![Фото 1/2 RF4E070BNTR1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, DFN2020, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/960/DOC005960651.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC013435154.jpg)
2800 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
97 руб.
20 шт.
на сумму 3 400 руб.
Плати частями
от 850 руб. × 4 платежа
от 850 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
Power Dissipation | 2Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | DFN2020 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1478 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.