RGS60TS65HRC11, БТИЗ транзистор, 56 А, 1.65 В, 223 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт., срок 7-9 недель
720 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
710 руб.
4 шт.
на сумму 2 880 руб.
Плати частями
от 720 руб. × 4 платежа
от 720 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Field Stop Trench IGBTsROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 56А |
Power Dissipation | 223Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Field Stop Trench RGS Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 56 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247N-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | RGS60TS65HR |
Pd - Power Dissipation: | 223 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 5.67 |
Техническая документация
Datasheet RGS60TS65HRC11
pdf, 3952 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.