RGS80TS65HRC11, IGBT Single Transistor, 73 A, 1.65 V, 650 V, TO-247N, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 шт., срок 7-9 недель
1 300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 090 руб.
2 шт.
на сумму 2 600 руб.
Плати частями
от 650 руб. × 4 платежа
от 650 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 73А |
Power Dissipation | 272Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Pd - рассеивание мощности | 272 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 73 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet RGS80TS65HRC11
pdf, 346 КБ
Datasheet RGS80TS65HRC11
pdf, 334 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.