RGT16NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 шт., срок 7-9 недель
610 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
520 руб.
5 шт.
на сумму 3 050 руб.
Плати частями
от 764 руб. × 4 платежа
от 764 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 16А |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Pd - рассеивание мощности | 94 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | RGT16NL65D |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263L-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT16NL65DGTL
pdf, 1211 КБ
Datasheet RGT16NL65DGTL
pdf, 1204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.