RGT40TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 17 А, 1.65 В, 39 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт., срок 7-9 недель
650 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
550 руб.
4 шт.
на сумму 2 600 руб.
Плати частями
от 650 руб. × 4 платежа
от 650 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Траншейные IGBT с полевой остановкой ROHM Trench с полевой остановкой IGBT - это энергосберегающие высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти БТИЗ имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, выдерживают короткое замыкание и обладают очень быстрым встроенным усилителем; мягкое восстановление FRD. Траншейные БТИЗ с ограничителем поля идеальны для ИБП, стабилизаторов напряжения, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 17А |
Power Dissipation | 39Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Pd - рассеивание мощности: | 39 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Другие названия товара №: | RGT40TM65D |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 17 A |
Подкатегория: | IGBTs |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 50 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер: | 200 nA |
Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT40TM65DGC9
pdf, 1394 КБ
Datasheet RGT40TM65DGC9
pdf, 1401 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.