RGT50NS65DGTL, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)

RGT50NS65DGTL, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 шт., срок 7-9 недель
700 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.600 руб.
4 шт. на сумму 2 800 руб.
Плати частями
от 700 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001668091
Артикул: RGT50NS65DGTL
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 48А
Power Dissipation 194Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-262
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RGT50NS65DGTL
pdf, 902 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.