RGT50NS65DGTL, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
![RGT50NS65DGTL, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 шт., срок 7-9 недель
700 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
600 руб.
4 шт.
на сумму 2 800 руб.
Плати частями
от 700 руб. × 4 платежа
от 700 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 48А |
Power Dissipation | 194Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT50NS65DGTL
pdf, 902 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.