RGTH50TS65GC13, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.6 В, 174 Вт, 650 В, TO-247GE, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
1 170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
990 руб.
3 шт.
на сумму 3 510 руб.
Плати частями
от 879 руб. × 4 платежа
от 879 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage.
Технические параметры
Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 174 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247GE |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 881 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.