RGTH80TS65GC13, БТИЗ транзистор, 70 А, 1.6 В, 234 Вт, 650 В, TO-247GE, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

24 шт., срок 7-9 недель

1 340 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 1 110 руб.

2 шт. на сумму 2 680 руб.

Плати частями
от 670 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009492176

Артикул: RGTH80TS65GC13

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные

ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage .

Configuration	Single Collector, Single Emitter, Single Gate
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	70 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
Maximum Power Dissipation	234 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247GE
Вес, г	2