RGTV60TS65GC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 194 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 7-9 недель
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
570 руб.
4 шт.
на сумму 2 560 руб.
Плати частями
от 640 руб. × 4 платежа
от 640 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
New 650V IGBTs Deliver Class-Leading Efficiency with Soft Switching. Two new types of 650V IGBTs that combine class-leading low conduction loss with high-speed switching characteristics. This makes them ideal for power conversion in general-purpose inverters and converters for consumer appliances, such as ACs and IH (Induction Heaters), as well as industrial equipment, including power conditioners, welding machines, and UPS (Uninterrupted Power Supplies). The RGTV series features short circuit tolerance.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 194Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Field Stop Trench RGTV Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Pd - рассеивание мощности | 194 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | RGTV60TS65 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Base Product Number | RGTV60 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 64nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 194W |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-247N |
Switching Energy | 570ВµJ (on), 500ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 33ns/105ns |
Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Вес, г | 6.42 |
Техническая документация
Datasheet RGTV60TS65GC11
pdf, 1074 КБ
Datasheet RGTV60TS65GC11
pdf, 1067 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.