RGTV80TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 39 А, 1.5 В, 85 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
1 500 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 250 руб.
2 шт.
на сумму 3 000 руб.
Плати частями
от 750 руб. × 4 платежа
от 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGTV series field stop trench IGBT with 2 μs short-circuit tolerance. It is suitable for PFC, solar inverter, UPS, welding and in IH applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 23 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-3PFM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 6.42 |
Техническая документация
Datasheet RGTV80TK65GVC11
pdf, 965 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
