RGW00TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 7-9 недель
1 440 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 210 руб.
2 шт.
на сумму 2 880 руб.
Плати частями
от 720 руб. × 4 платежа
от 720 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 45А |
Power Dissipation | 89Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Вес, г | 6.35 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65DGVC11
pdf, 1929 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.