RGW00TS65EHRC11, БТИЗ транзистор, 96 А, 1.5 В, 254 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7-9 недель
2 070 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 920 руб.
от 10 шт. —
1 740 руб.
2 шт.
на сумму 4 140 руб.
Плати частями
от 1 035 руб. × 4 платежа
от 1 035 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 254 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TS65EHRC11
pdf, 5791 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.