RGW40TS65DGC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 40A/136W/TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
1 270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 050 руб.
2 шт.
на сумму 2 540 руб.
Плати частями
от 635 руб. × 4 платежа
от 635 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 40А |
Power Dissipation | 136Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 6.42 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.