RGW60TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 33 А, 1.5 В, 72 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 7-9 недель
980 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
960 руб.
3 шт.
на сумму 2 940 руб.
Плати частями
от 735 руб. × 4 платежа
от 735 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Field Stop Trench IGBTs ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 33А |
Power Dissipation | 72Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 33 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 33 A |
Factory Pack Quantity: | 450 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-3PFM |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | RGW60TK65D |
Pd - Power Dissipation: | 72 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 6.35 |
Техническая документация
Datasheet RGW60TK65DGVC11
pdf, 1777 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.