RGW60TS65DGC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 178 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7-9 недель
1 170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
1 000 руб.
3 шт.
на сумму 3 510 руб.
Плати частями
от 879 руб. × 4 платежа
от 879 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 178Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 6.42 |
Техническая документация
Datasheet RGW60TS65DGC11
pdf, 1754 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.