RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
![RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
167 шт. со склада г.Москва
680 руб.
от 5 шт. —
592 руб.
1 шт.
на сумму 680 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin(3+Tab) TO-247A
Технические параметры
Технология/семейство | Trench | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 260.4 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 53 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247A | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet RJH60F5DPQ-A0
pdf, 88 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.