P-Channel MOSFET, 250 mA, 20 V, 3-Pin TSMT-3 RTU002P02T106
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1930 шт., срок 6 недель
30 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзисторы с каналом P, ROHM
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSMT-3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.6mm |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
