S34ML04G100BHI000, Флеш память, NAND, SLC NAND, 4 Гбит, 512М x 8бит, Параллельный, BGA, 63 вывод(-ов)
см. техническую документацию
от 960 руб. × 4 платежа
Описание
S34ML04G100BHI000 является SLC NAND Flash память на 4ГБ. Она предлагается с 3.3VCC и VCCQ источниками питания и x8 или x16 I/O интерфейсом. Память разделена на блоки, которые могут быть стерты независимо друг от друга, так можно сохранить нужные данные, во время стирания старых данных. Размер страницы для х8 байты, а для х16 (1024 + 32) слова. Каждый блок может быть запрограммирован и удален до 100000 раз с кодом исправления ошибок (ECC). Чтобы продлить срок службы NAND Flash устройств, внедрение ECC является обязательным. Чип поддерживает функцию CE# «не важно». Эта функция позволяет напрямую загружать код с NAND Flash устройств при помощи микроконтроллера, поскольку переходы CE# не останавливают операцию считывания. Устройство обладает функцией считывания с кэшем, которая улучшает пропускную способность считывания больших файлов. Во время считывания, устройства загружают данные в кэш-регистр, а предыдущие данные передаются в буферы I/O для последующего считывания.
• Соответствует Open NAND flash интерфейсу 1.0
• Адрес, данные и команды мультиплексированы
• Безопасность - одноразовая зона программирования
• Во время перехода питания аппаратное программирование/стирание отключено
• Поддержка многослойного программирования и удаления
• Поддержка копирования программ
• Электронная подпись - ID производителя 00ч
• Считывание страниц/программ
• Стирание блоками - типичное время стирания 3.5мс
• Надежность - типичное значение хранения данных 10 лет
• Блоки 0 и 1 действительны и будут действительными не менее 1000 циклов с кодом коррекции ошибок (ECC)
Технические параметры
| Время Доступа | 25нс |
| Количество Выводов | 63вывод(-ов) |
| Конфигурация Флэш-памяти | 512М x 8бит |
| Линейка Продукции | 3V SLC NAND Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Размер Памяти | 4Гбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | BGA |
| Тип Flash Памяти | SLC NAND |
| Тип Интерфейса ИС | Параллельный |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Architecture: | Multiplane |
| Brand: | SkyHigh Memory |
| Data Bus Width: | 8 bit |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 210 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | SkyHigh Memory |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 4 Gbit |
| Memory Type: | NAND |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organization: | 512 M x 8 |
| Package / Case: | BGA-63 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | NAND Flash |
| Product Type: | NAND Flash |
| Product: | NAND Flash |
| Series: | S34ML04G1 |
| Speed: | 25 ns |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 35 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Timing Type: | Asynchronous |
| Вес, г | 15.31 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
