SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 15 шт. —
360 руб.
1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор полевой SIHG20N50C-E3 от известного производителя VISHAY представляет собой надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот транзистор способен управлять током стока до 11 А и выдерживать напряжение между стоком и истоком до 560 В. С его помощью можно реализовать мощные схемы, так как он способен рассеивать до 250 Вт тепловой мощности. Отличительной особенностью является низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,27 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при работе. Транзистор упакован в прочный корпус TO247AC, который гарантирует долговечность и стабильность параметров. Приобретая SIHG20N50CE3, вы получаете качественный компонент для вашего оборудования. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 11 |
Напряжение сток-исток, В | 560 |
Мощность, Вт | 250 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.27 |
Корпус | TO247AC |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 | |
Крутизна характеристики, S | 6.4 | |
Корпус | TO-247AC | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet SIHG20N50C-E3
pdf, 200 КБ
Datasheet SiHG20N50C
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов