SIHG30N60E-GE3, Транзистор N-MOSFET 600В 29А 250Вт [TO-247AC]
![Фото 1/4 SIHG30N60E-GE3, Транзистор N-MOSFET 600В 29А 250Вт [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307910.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC012912220.jpg)
380 руб.
от 100 шт. —
335 руб.
1 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Решения для промышленного электропитания
Vishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Vishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.104 Ом/15A/10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 | |
Крутизна характеристики, S | 5.4 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 190 КБ
Datasheet
pdf, 182 КБ
Datasheet SIHG30N60E
pdf, 181 КБ
Datasheet SIHG30N60E-GE3
pdf, 158 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов