SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]
![Фото 1/7 SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330200.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786642.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/789/DOC018789137.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/439/DOC034439707.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/439/DOC034439717.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC038673789.jpg)
540 руб.
от 15 шт. —
470 руб.
1 шт.
на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 | |
Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
Корпус | TO-220FP | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.1…3.9 | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов