SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]
![Фото 1/4 SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC004240405.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/004/DOC021004374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC024811189.jpg)
250 руб.
от 15 шт. —
234 руб.
1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/3.8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 | |
Крутизна характеристики, S | 4 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.1…3.9 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 563 КБ
Datasheet
pdf, 326 КБ
Документация
pdf, 613 КБ
Datasheet SPD06N80C3
pdf, 318 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов