STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252]
![STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 шт. со склада г.Москва
130 руб.
от 100 шт. —
117 руб.
1 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/20А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8.3 | |
Крутизна характеристики, S | 60 | |
Корпус | TO-252/DPAK | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…3 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet STD60NF06T4
pdf, 734 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.