STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
![Фото 1/7 STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC012192978.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/754/DOC010754197.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842069.jpg)
196 шт. со склада г.Москва
210 руб.
от 15 шт. —
209 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20A 65Вт DІPak Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Технология/семейство | PowerMESH | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 14.2 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | d2pak | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.