STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]

Фото 1/3 STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва
480 руб.
от 15 шт.468 руб.
1 шт. на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9000383853
Артикул: STGW30H60DFB
Бренд: STMicroelectronics

Описание

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технические параметры

Технология/семейство Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 260
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 37
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 146
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1495 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.