STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

91 шт. со склада г.Москва

450 руб.

от 15 шт. — 402 руб.

1 шт. на сумму 450 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 9030000101

Артикул: STGW39NC60VD

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

pdf, 1680 КБ

pdf, 404 КБ

pdf, 396 КБ

pdf, 420 КБ

pdf, 420 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	PowerMESH
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	178
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5