STGWA50HP65FB2, БТИЗ транзистор, 86 А, 1.55 В, 272 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 шт., срок 7-9 недель
660 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
560 руб.
4 шт.
на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
от 660 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 86А |
| Power Dissipation | 272Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 86 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 272 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet STGWA50HP65FB2
pdf, 537 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
