TEMT1040, Фототранзистор, 880 нм, 100 мВт, 2 вывод(-ов), TEMT1000
![Фото 1/2 TEMT1040, Фототранзистор, 880 нм, 100 мВт, 2 вывод(-ов), TEMT1000](https://static.chipdip.ru/lib/900/DOC036900554.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/354/DOC024354073.jpg)
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 25 шт. —
128 руб.
12 шт.
на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
от 660 руб. × 4 платежа
Описание
Оптоэлектроника и Дисплеи\Фототранзисторы
The Vishay silicon NPN phototransistors with high radiant sensitivity in black, surface mount, plastic packages with lens and daylight blocking filter.
Технические параметры
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TEMT1000 |
Типичное Значение Длины Волны | 880нм |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Энергопотребление | 100мВт |
Maximum Light Current | 7mA |
Number of Channels | 1 |
Spectrums Detected | Day Light |
Typical Fall Time | 2.3µs |
Typical Rise Time | 2µs |