UF3C065080B3, SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 25A, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 шт., срок 7-9 недель
1 790 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 700 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 580 руб.
Плати частями
от 895 руб. × 4 платежа
от 895 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | D2PAK |
| Вес, г | 1.4 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
