UJ3N120035K3S, SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 63A, TO-247
![UJ3N120035K3S, SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 63A, TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 шт., срок 7-9 недель
6 480 руб.
от 5 шт. —
5 950 руб.
от 10 шт. —
5 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 480 руб.
Плати частями
от 1 620 руб. × 4 платежа
от 1 620 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
Power Dissipation | 429Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 63А |
Пороговое Напряжение Vgs | 11.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.