WMO18N50C4, Транзистор N-MOSFET 500В 18 А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1142 шт. со склада г.Москва
120 руб.
от 15 шт. —
107 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги1
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18А [D-PAK]
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом/3.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 | |
Корпус | dpak | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet WMxx18N50C4
pdf, 683 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.