ZX5T3ZTA, Транзистор
![Фото 1/3 ZX5T3ZTA, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/067/DOC013067805.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166832.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/981/DOC012981993.jpg)
140 руб.
от 5 шт. —
120 руб.
1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярный (BJT) транзистор PNP 40V 5.5A 152MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.75 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7.5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.075@550mA@5.5A|0.9@40mA@2A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.03@10mA@0.1A|0.165@10mA@1A|0.185@550mA@5.5A|0.06@100mA@1A|0.08@200mA@2A|0.175@175mA@3.5A|0.07@50mA@1A|0.175@40mA@2A |
Maximum DC Collector Current (A) | 5.5 |
Minimum DC Current Gain | 170@2A@2V|110@5.5A@2V|200@10mA@2V|200@500mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 152(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Yes |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | SOT-89 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.6(Max) |
Package Length | 4.6(Max) |
Package Width | 2.6(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Flat |
Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet ZX5T3ZTA
pdf, 188 КБ
Datasheet ZX5T3ZTA
pdf, 182 КБ
Datasheet ZX5T3ZTA
pdf, 187 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов