ZXTP2013ZTA
![ZXTP2013ZTA](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 5 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 4.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | ZXTP201 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.6 mm |
Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet ZXTP2013ZTA
pdf, 94 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов